Емкость
512GB ( 476.84Гб, )
Тип
SSM (модули твердотельного накопителя)
Форм-фактор
M.2 2280
Подключение
M.2/M-Key (PCIe 4.0 x4)
Чтение
7450MB/s
Запись
3500MB/s SLC-Cached
IOPS 4K
500k чтение, 900k запись
Модули памяти
3D-NAND TLC, Micron, 176 Layer (RG NAND Generation 2)
TBW
500TB
Надежность
1.5 млн. часов (MTBF)
Контроллер
InnoGrit Rainier/IG5236, 8 каналов
Кэш
DRAM-cache объем памяти не зафиксирован или возможны разные размеры (DDR4), SLC-Cache
Протокол
NVMe 1.4
Размеры
80x22x2.5mm (без охлаждающих блоков)
Гарантия
60 мес.
