Цена:

Бренд:

Еще:

• Главная
• ← Память RAM
• ← Samsung

Память RAM: Samsung, Латвия

Изображение Описание Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB €7 Samsung DIMM 2GB, DDR2-800, CL6 Тип: DDR2 DIMM 240-Pin; передача данных: 800MT/s (800 МГц эффективная - основанная на 400 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB; JED €8 Samsung DIMM 512MB, DDR2-667, CL5 Тип: DDR2 DIMM 240-Pin; передача данных: 667MT/s (667 МГц эффективная - основанная на 333.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 512MB €10 Samsung DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J €10 Samsung UDIMM 2GB, DDR2-800, CL6 Форм-фактор: DDR2 DIMM 240-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 800 MT/с; Модули: 1x 2GB; Спецификация JEDEC: PC2-6400U; Напряжение: 1.8V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm; Case: … €11 Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4G €12 Samsung SO-DIMM 512MB, DDR2-667, CL5 Тип: DDR2 SO-DIMM 200-Pin; передача данных: 667MT/s (667 МГц эффективная - основанная на 333.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 51 €12 Samsung DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; J €13 Samsung DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3L DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; €13 Samsung UDIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (несмещённая память без коррекции ошибок); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: отсутствует; спецификация JEDEC: PC3-1... €13 Samsung DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB €13 Samsung DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x €15 Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x €15 Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, 2RX8 Форм-фактор: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 8GB; Спецификация JEDEC: PC3L-12800S; Напряжение: 1.35V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm … €16 Samsung RDIMM 16GB, DDR3-1600, CL11-11-11, reg ECC Тип: DDR3 RDIMM 240-Pin, reg ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); моду €16