Цена:

Бренд:

Еще:

• Главная
• ← Память RAM
• ← DDR3

Память RAM: DDR3, Латвия

Изображение Описание Samsung DIMM 4GB, DDR3-1333, CL9-9-9 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB €13 Samsung DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; J €13 Samsung DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11 Тип: DDR3L DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; €13 Silicon Power DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J €13 Silicon Power SO-DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8G €13 G.Skill NS Series UDIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11-28 Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (несмещённая память без коррекции ошибок); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 4GB; ECC: отсутствует; спецификация JEDEC: PC3-1... €13 V7 UDIMM 8GB, DDR3-1600, CL11 Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (несмещённая память без коррекции ошибок); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: отсутствует; спецификация JEDEC: PC3-1... €13 Samsung UDIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (несмещённая память без коррекции ошибок); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: отсутствует; спецификация JEDEC: PC3-1... €13 V7 DIMM 2GB, DDR3-1333, CL9 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1333MT/s (1333 МГц эффективная - основанная на 666.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 167 МГц (внутренняя); модули: 1x 2GB €13 ADATA Premier UDIMM 4GB, DDR3-1600, CL11, X8 Форм-фактор: DDR3 DIMM 240-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 4GB; Спецификация JEDEC: PC3-12800U; Напряжение: 1.5V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm; … €13 Patriot Signature Line SO-DIMM 4GB, DDR3L-1600, CL11 Форм-фактор: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 4GB; Спецификация JEDEC: PC3L-12800S; Напряжение: 1.35V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm … €13 SK hynix SO-DIMM 2GB, DDR3-1600, CL11-11-11, 1R Форм-фактор: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 1600 MT/с; Модули: 1x 2GB; Спецификация JEDEC: PC3-12800S; Напряжение: 1.5V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm; … €13 Crucial SO-DIMM Kit 8GB, DDR3L-1600, CL11 Тип: DDR3L SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: €14 G.Skill NT Series DIMM 4GB, DDR3-1600, CL11-11-11-28 Тип: DDR3 DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 4GB; J €14 Silicon Power DIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11 Тип: DDR3L DIMM 240-Pin; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модули: 1x 8GB; €14