Цена:

Бренд:

Еще:

• Главная
• ← Память RAM
• ← Samsung

Память RAM: Samsung, Латвия

Изображение Описание Samsung SO-DIMM 8GB, DDR5-4800, CL40, 1RX16 Форм-фактор: DDR5 SO-DIMM 262-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 4800 MT/с; Модули: 1x 8GB; ECC: коррекция ошибок (on-die ECC); Спецификация JEDEC: PC5-38400S; Напряжение: 1.1V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 30mm; … €27 Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17, 1RX8 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 2400 MT/с; Модули: 1x 8GB; Спецификация JEDEC: PC4-19200U; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 31.25mm; … €29 Samsung DIMM 16GB, DDR4-3200, CL22-22-22 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули: 1x 16GB; €29 Samsung DIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x 16GB; €29 Samsung DIMM 16GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: 1x 16GB; €29 Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1066, CL7 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1066MT/s (1066 МГц эффективная - основанная на 533 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 133 МГц (внутренняя); модули: 1 €30 Samsung RDIMM 32GB, DDR4-2400, CL17-17-17, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули €32 Samsung UDIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2666MT/s; модули: 1x 16GB; спецификация JEDEC: PC4-21300U; напряжение: 1.2V (нормативное напр... €32 Samsung SO-DIMM 16GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: €33 Samsung UDIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19, 2RX8 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 2666 MT/с; Модули: 1x 16GB; Спецификация JEDEC: PC4-21300U; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 31.25mm; … €34 Samsung UDIMM 16GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2400MT/s; модули: 1x 16GB; спецификация JEDEC: PC4-19200U; напряжение: 1.2V (нормативное напр... €34 Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19, 1RX8 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; Тип модуля: UDIMM Non-ECC; Скорость: 2666 MT/с; Модули: 1x 8GB; Спецификация JEDEC: PC4-21300U; Напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JEDEC); Высота модуля: 31.25mm; … €34 Samsung SO-DIMM 2GB, DDR3-1333, CL7-7-7 Форм-фактор: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 1333MT/s; модули: 1x 2GB; спецификация JEDEC: PC3-10667S; напряжение: 1.5V (нормативное нап... €34 Samsung UDIMM 16GB, DDR4-3200, CL22-22-22 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 3200MT/s; модули: 1x 16GB; спецификация JEDEC: PC4-25600U; напряжение: 1.2V (нормативное напр... €36 Samsung SO-DIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x 16 €36