Цена:

Бренд:

Еще:

• Главная
• ← Память RAM
• ← Samsung

Память RAM: Samsung, Латвия

Изображение Описание Samsung SO-DIMM 2GB, DDR3-1333, CL7-7-7 Форм-фактор: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 1333MT/s; модули: 1x 2GB; спецификация JEDEC: PC3-10667S; напряжение: 1.5V (нормативное нап... €32 Samsung RDIMM 32GB, DDR4-2400, CL17-17-17, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули €32 Samsung UDIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2666MT/s; модули: 1x 16GB; спецификация JEDEC: PC4-21300U; напряжение: 1.2V (нормативное напр... €32 Samsung SO-DIMM 16GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: €33 Samsung UDIMM 16GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2400MT/s; модули: 1x 16GB; спецификация JEDEC: PC4-19200U; напряжение: 1.2V (нормативное напр... €34 Samsung UDIMM 16GB, DDR4-3200, CL22-22-22 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 3200MT/s; модули: 1x 16GB; спецификация JEDEC: PC4-25600U; напряжение: 1.2V (нормативное напр... €36 Samsung SO-DIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x 16 €36 Samsung LRDIMM 32GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, ECC Тип: DDR3L LRDIMM 240-Pin, ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); модул €39 Samsung UDIMM 8GB, DDR5-4800, CL40-40-40-77 Форм-фактор: DDR5 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 4800MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: коррекция ошибок (on-die ECC); спецификация JEDEC: PC5-38400U; напр €40 Samsung RDIMM 16GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, reg ECC Тип: DDR3L RDIMM 240-Pin, reg ECC; передача данных: 1600MT/s (1600 МГц эффективная - основанная на 800 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 200 МГц (внутренняя); мод €42 Samsung RDIMM 8GB, DDR4-2133, CL15-15-15, reg ECC Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: RDIMM (Registered); передача данных: 2133MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: Sideband ECC; спецификация JEDEC: PC4-17000R; напряжение: 1.2V (нормативное напряжение JED... €46 Samsung UDIMM 8GB, DDR3L-1600, CL11-11-11, ECC Форм-фактор: DDR3L DIMM 240-Pin; тип модуля: UDIMM ECC (небуферизированный); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: Sideband ECC; спецификация JEDEC: PC3L-12800U; напряжение: 1.35V (нормати... €54 Samsung RDIMM 8GB, DDR4-3200, CL22-22-22, reg ECC Тип: DDR4 RDIMM 288-Pin, reg ECC; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули €54 Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x 4G €55 Samsung SO-DIMM 32GB, DDR4-3200, CL22-22-22 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули: 1x 32 €58