Цена:

Бренд:

Еще:

• Главная
• ← Память RAM
• ← Samsung

Память RAM: Samsung, Латвия

Изображение Описание Samsung DIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: 1x €19 Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: €20 Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: €20 Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2133, CL15-15-15 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2133MT/s; модули: 1x 8GB; спецификация JEDEC: PC4-17000U; напряжение: 1.2V (нормативное напр €21 Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2666MT/s; модули: 1x 8GB; спецификация JEDEC: PC4-21300U; напряжение: 1.2V (нормативное напр €21 Samsung DIMM 8GB, DDR4-2133, CL15-15-15 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2133MT/s (2133 МГц эффективная - основанная на 1066.50 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 267 МГц (внутренняя); модули: €22 Samsung UDIMM 8GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Форм-фактор: DDR4 DIMM 288-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 2400MT/s; модули: 1x 8GB; спецификация JEDEC: PC4-19200U; напряжение: 1.2V (нормативное напр €24 Samsung SO-DIMM 8GB, DDR4-3200, CL22-22-22 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули: €25 Samsung SO-DIMM 4GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 SO-DIMM 260-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: €25 Samsung SO-DIMM 8GB, DDR3-1600, CL11-11-11 Форм-фактор: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 1600MT/s; модули: 1x 8GB; спецификация JEDEC: PC3-12800S; напряжение: 1.5V (нормативное нап... €25 Samsung SO-DIMM 8GB, DDR5-4800, CL40 Форм-фактор: DDR5 SO-DIMM 262-Pin; тип модуля: UDIMM Non-ECC (небуферизированный); передача данных: 4800MT/s; модули: 1x 8GB; ECC: коррекция ошибок (on-die ECC); спецификация JEDEC: PC5-38400S; нап... €26 Samsung DIMM 16GB, DDR4-2400, CL17-17-17 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2400MT/s (2400 МГц эффективная - основанная на 1200 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 300 МГц (внутренняя); модули: 1x 16GB; €29 Samsung DIMM 16GB, DDR4-3200, CL22-22-22 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 3200MT/s (3200 МГц эффективная - основанная на 1600 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 400 МГц (внутренняя); модули: 1x 16GB; €29 Samsung DIMM 16GB, DDR4-2666, CL19-19-19 Тип: DDR4 DIMM 288-Pin; передача данных: 2666MT/s (2666 МГц эффективная - основанная на 1333 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 333 МГц (внутренняя); модули: 1x 16GB; €29 Samsung SO-DIMM 4GB, DDR3-1066, CL7 Тип: DDR3 SO-DIMM 204-Pin; передача данных: 1066MT/s (1066 МГц эффективная - основанная на 533 МГц частоте ввода/вывода с Double Data Rate); тактовая частота: 133 МГц (внутренняя); модули: 1 €30